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Dual, SiGe, High-Linearity, 1700MHz to 2200MHz
Downconversion Mixer with LO Buffer/Switch
Typical Operating Characteristics (continued)
(Typical Application Circuit, optimized for the UMTS band , R1 = R4 = 681 Ω , R2 = R5 = 1.5k Ω , V CC = +5.0V , P LO = 0dBm,
P RF = -5dBm, LO is low-side injected for a 190MHz IF, T C = +25°C, unless otherwise noted.)
60
55
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45
CHANNEL ISOLATION vs. RF FREQUENCY
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CHANNEL ISOLATION vs. RF FREQUENCY
60
55
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CHANNEL ISOLATION vs. RF FREQUENCY
40
T C = -30°C, +25°C, +85°C
40
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
40
V CC = 4.75V, 5.0V, 5.25V
35
30
35
30
35
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1700
1900
2100
2300
2500
1700
1900
2100
2300
2500
1700
1900
2100
2300
2500
-20
RF FREQUENCY (MHz)
LO LEAKAGE AT IF PORT
vs. LO FREQUENCY
-20
RF FREQUENCY (MHz)
LO LEAKAGE AT IF PORT
vs. LO FREQUENCY
-20
RF FREQUENCY (MHz)
LO LEAKAGE AT IF PORT
vs. LO FREQUENCY
-25
T C = +85°C
-25
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
-25
V CC = 5.25V
V CC = 5.0V
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-40
-30
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-40
-30
-35
-40
-45
-50
T C = -30°C, +25°C
-45
-50
-45
-50
V CC = 4.75V
1500
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2100
2300
1500
1700
1900
2100
2300
1500
1700
1900
2100
2300
50
LO FREQUENCY (MHz)
RF-TO-IF ISOLATION vs. RF FREQUENCY
50
LO FREQUENCY (MHz)
RF-TO-IF ISOLATION vs. RF FREQUENCY
50
LO FREQUENCY (MHz)
RF-TO-IF ISOLATION vs. RF FREQUENCY
45
T C = -30°C, +25°C, +85°C
45
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
45
V CC = 4.75V, 5.0V, 5.25V
40
35
30
40
35
30
40
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2100
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RF FREQUENCY (MHz)
RF FREQUENCY (MHz)
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16
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